【汇旺安卓】陷落电子

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[拼音]:xianluo dianzi

[英文]:trapped electron

陷入因极性介质分子偶极取向而形成的“极子”势阱中的热化电子。如果介质为固体或玻璃基体,则陷落电子有较长寿命;在液体中形成溶剂化电子是一种重要的陷落方式。

热化电子

电离辐射与物质相互作用过程中产生的次级电子仍有较高的能量(>100电子伏),具有继续激发或电离周围介质分子的能力。通过与介质分子的作用,次级电子的能量逐渐消耗而慢化,丧失激发或电离介质分子的能力,直到它们的动能与介质分子的热能等同,成为热化电子。在能量降到热能之前,如已脱离母体离子的库仑场束缚而漂离母体离子一定距离(平均为几奈米),则这种热化电子才有可能成为陷落电子或溶剂化电子。

“极子”模型

热化电子在介质中自由漂移,继续与介质分子相互作用,损失能量。如果介质分子极性较大(如水分子),热化电子自身引起的电场使原吸a href=’http://www.baiven.com/baike/224/296773.html’ target=’_blank’ >任薰嫒∠虻慕橹史肿优技氐绯》较蛑匦屡帕校纬杉樱拥恼顺蛉然缱樱率谷然缱酉萋淙胗伤亲陨碇圃斓募邮期逯校晌萋涞缱踊蛉芗粱缱觘solv。如果介质是水分子,又叫水化电子eaq:

但也有理论认为介质中的“阱”是预存在的。

陷落电子的结构和寿命

陷落电子的几何构型分为键合取向和偶极取向两种。以水化电子为例,最合理的模型是四个水分子与一个热化电子构成四面体结构。电子陷入中心缺陷位置时,四面体角上的水分子偶极取向,其正端 (H)都朝向电子。六个水分子与一个热化电子组成水化电子是键合取向八面体构型。陷落电子的半寿期也因介质分子而异,水化电子的半寿期为8×10-4秒。

测定陷落电子产额的方法有动态吸收光谱、特征单重态顺磁共振谱和化学俘获法等。

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